意法半导体推出新系列功率MOSFET STD11NM60N的首款产品
时间:2019-03-26 10:26:44 来源:泸州门户网 作者:匿名


意法半导体(ST)最近推出了STD11NM60N,这是新系列功率MOSFET的首款产品。该产品极低的导通电阻,卓越的动态特性和雪崩特性为客户提供了显着降低照明应用中传导损耗并提高整体效率和可靠性的机会。 STD11NM60N特别适用于高功率因数电子镇流器和高强度放电灯(HID)电子镇流器等照明应用。

商业照明应用市场对更高功率密度和更低成本的不断增长的需求促使半导体制造商挑战器件优化的极限。新型STD11NM60N是半导体器件技术限制的一个例子。使用ST开发的第二代MDmesh技术。最大导通电阻RDS(ON)仅为450mΩ。该设备的电阻高于上一代MDmesh的电阻。该技术减少了55%,并且该功能不会牺牲其温度特性的精确控制。

除了通过最小化电阻值来最小化通态损耗之外,该600V产品的主要特性还包括一个节能驱动电路,允许MOSFET以较低的VGS(栅极阈值)电压驱动。更高的电流。事实上,虽然阈值电压范围(2V)不会改变,但驱动器件所需的VGS电压范围会降低,从而优化驱动器电路的性能,并确保器件具有出色的噪声抑制性能,从而阻止电路被意外打开。

STD11NM60N的主要特性包括出色的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性,使用户能够将工作温度保持在正常工作温度范围内。由于传导损耗和功耗较低,该器件还可帮助客户减小散热器的尺寸,从而节省电路板空间。

STD11NM60N采用微型DPAK/IPAK和TO-220FP封装,现已批量供货。 10,000单位的单价为0.90美元。